三星电子2027年将引入晶圆代工技术，推出两种新工艺节点，加强跨越人工智能（AI）芯片研发、代工生产、组装全流程的AI芯片生产“一站式”服务。

三星电子12日在美国硅谷举行“2024年三星代工论坛”，公布了涵盖上述内容的半导体技术战略。三星电子正通过封装晶圆代工非内存半导体和高带宽内存（HBM）的集成AI解决方案致力于研制高性能、低能耗的AI芯片产品。据此，与现有工艺相比，从研发到生产的耗时可缩减约20%。

值得关注的是，三星电子计划引进晶圆代工技术进一步强化AI芯片生产水平。具体来看，三星2027年将在2纳米工艺中采用背面供电网络（BSPDN）技术（制程节点SF2Z）。该技术可将芯片的供电网络转移至晶圆背面，与信号电路分离，从而简化供电路径，降低供电电路对互联信号电路的干扰。若在2纳米工艺中采用该技术，不仅能提高功率、性能和面积等参数，还可以显著减少电压降，从而提升高性能计算设计性能。目前尚无实现商业化的先例。

另外，三星电子2027年还计划把低能耗且具有高速数据处理性能的光学元件技术运用于AI解决方案。2025年，三星电子将在4纳米工艺中采用“光学收缩”技术（制程节点SF4U）进行量产，使芯片更小，性能更佳。

三星电子方面表示，AI时代最重要的就是高性能、低能耗芯片，将通过和AI芯片适配度更高的环绕式栅极工艺（GAA）、光学元件等技术为客户提供AI时代必要的“一站式”解决方案。